ウェット装置ソリューション

洗浄・ウェットエッチング・レジスト剝離

• 使用する薬品により、Acid（樹脂）、Solvent（SUS）装置を選定
• 薬品使い切りの場合はClean（タンクなし）、インラインスパイキングで常に新液を流しかけ
• チャンバー数：マニュアルロードAcid／Solvent：1、Double：2
• スループット：最大150wph／チャンバー（プロセスによる）
• フットプリント：マニュアルロード 1.15x1.93m、オートロード 2.63x4.01m（基本構成）
• 薬品消費の大幅な削減
• スループット増加 50～80%
• フットプリント削減 30～80%
• ウェハあたりコストの大幅な削減 20～90%

1. 省スペース設計
   • シングルチャンバー方式により、装置の設置面積が省スペース化
   • エッチング・洗浄・リンス・乾燥を1つのチャンバーで処理
2. 薬品消費量の低減
   • スプレー方式により、液体使用量を削減
   • インラインスパイキング技術により、必要な分だけ薬液を混合・供給することで無駄を削減
   • オゾンを使用することで薬品使用量を削減
3. 再付着防止
   • 洗浄中に脱離したコンタミ（汚染物質）が直接ドレーンへ排出される設計により、再付着のリスクを低減
4. 高い反応性と均一性
   • ウェハ回転機構により、スプレーが均一に当たり、面内均一性が向上
   • 回転数の調整で反応性や乾燥品質を制御可能

• Siconnex社独自のウェハ洗浄プロセス
• 酸・アルカリ洗浄、レジスト剝離にオゾンを利用
• オゾンは酸素から安価に製造可能、分解も容易

• PERC^™: Post-Etch Residue Clean
• ドライエッチング・プラズマダイシング後の残渣・ポリマー除去
• 複雑なコンタミのため、多数の化学品を使用し洗浄・リンスが必要
• スパイキングと組み合わせることでタンク削減しフットプリント最小化